项目名称：大功率半导体激光器外延与芯片制备
项目简介：本项目在国家 973 计划、863 计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成 9 ＊＊ nm 大功率单发光 条半导体激光器，输出功率大于 12W，寿命 1 万小时。
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应用简介
所处研发阶段：中试阶段。
适合应用领域：直接光加工、固体激光器泵浦源、光纤激光器泵浦。
已有应用情况：北京大族天成半导体技术有限公司；重庆航伟光电科技有限公司等。
投资规模及效益分析
资金规模 5000 万元，用于购买一套完备的生产设备，600 平方米超净 间建设，部分用于流动资金。财务分析：设计年产能 26 万只，价格（含税）150 元，年销售收入 3900 万元 , 毛利率 55%，年净利润率 33%，按价格年递减 5%、工资成本年 递增 5%、材料价格不变的假设测算，静态投资回收期为 4.7 年。
